可控硅元件在變頻電路中的應用
對于非諧振型的變頻器，使用軟開關變換電路，它是控制電壓和電流在開始上升時，使其緩慢變化的一種方法。
作為開關變換元件，一般使用雙極型三極管，但是最近，在中小功率的范圍內，大量使用了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）及功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。在大功率范圍內，使用了閘門關斷可控硅（GTO）元件。
IGBT是電壓控制元件，比電流控制的雙極型晶體管輸入控制回路簡單，是耐壓高、導通電壓低、開關變換速度快的元件。由于控制回路簡單，能夠產生出將功率元件、驅動回路、保護回路都封裝一起的智能功率模塊IPM。
GTO元件是能夠關斷、開啟的可控硅元件，它應用在大功率的PWM變換電路中。目前，已開發出的有額定參數為4.5kV/4kA的元件。由于GTO元件的開關變換頻率約在幾百赫茲左右，存在的問題是在低頻時的電壓、電流波形干擾大。目前，正在進一步開發的是以低損耗為目標的新式雙柵極MOS柵極可控硅（DUGMOT）元件。
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