可控硅元 件在變頻電路中的應(yīng)用
對于非諧振型的變頻器，使用軟開關(guān)變換電路，它是控制電壓和電流在開始上升時(shí)，使其緩慢變化的一種方法。
作為開關(guān)變換元件，一般使用雙極型三極管，但是最近，在中小功率的范圍內(nèi)，大量使用了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。在大功率范圍內(nèi)，使用了閘門關(guān)斷可控硅（GTO）元件。
IGBT是電壓控制元件，比電流控制的雙極型晶體管輸入控制回路簡單，是耐壓高、導(dǎo)通電壓低、開關(guān)變換速度快的元件。由于控制回路簡單，能夠產(chǎn)生出將功率元件、驅(qū)動(dòng)回路、保護(hù)回路都封裝一起的智能功率模塊IPM。
GTO元件是能夠關(guān)斷、開啟的可控硅元件，它應(yīng)用在大功率的PWM變換電路中。目前，已開發(fā)出的有額定參數(shù)為4.5kV/4kA的元件。由于GTO元件的開關(guān)變換頻率約在幾百赫茲左右，存在的問題是在低頻時(shí)的電壓、電流波形干擾大。目前，正在進(jìn)一步開發(fā)的是以低損耗為目標(biāo)的新式雙柵極MOS柵極可控硅（DUGMOT）元件。
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