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艾默生ups不間斷電源GXE-20k00TL3102C00在線式20KVA/18KW高頻
介于P注入?yún)^(qū)與N漂移區(qū)之間的N+層稱為緩沖區(qū)。有無緩沖區(qū)可以獲得不同特性GBT.有N緩沖區(qū)的IGBT稱為對稱型（也稱穿通型）IGBT,它其有正向壓降小、關(guān)時間短、關(guān)斷時尾部電流小等優(yōu)點，但反向阻斷能力相對較弱。無N緩沖區(qū)的IGBT稱為稱型（也稱非穿通型）IGBT,且有較強(qiáng)的正反向阻斷能力，但其他特性卻不及非對稱IGBT.在圖3-10(a)中，C為集電極，E為發(fā)射極，G為柵極（也稱門極）。該器件的電氣形符號，圖中所示箭頭表示IGBT中電流流動的方向(P溝道IGBT的箭與其相反)。
②工作原理簡單來說，IGBT相當(dāng)于一個由MOSFET 驅(qū)動的厚基區(qū)PNP晶體管，的簡化等效電路如圖3-10(b)所示，圖中R、為PNP晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。從該等效路可以清楚地看出，IGBT是用晶體管和功率MOSFET 組成的復(fù)合器件。因為圖中的晶體管為PNP型晶體管，MOSFET 為N溝道場效應(yīng)晶體管，所以這種結(jié)構(gòu)的IGBT稱為N溝道GBT.類似地還有P溝道IGBT.IGBT是一種場控器件，它的開通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間電壓UGE決定。
介于P注入?yún)^(qū)與N漂移區(qū)之間的N+層稱為緩沖區(qū)。有無緩沖區(qū)可以獲得不同特性GBT.有N緩沖區(qū)的IGBT稱為對稱型（也稱穿通型）IGBT,它其有正向壓降小、關(guān)時間短、關(guān)斷時尾部電流小等優(yōu)點，但反向阻斷能力相對較弱。無N緩沖區(qū)的IGBT稱為稱型（也稱非穿通型）IGBT,且有較強(qiáng)的正反向阻斷能力，但其他特性卻不及非對稱IGBT.在圖3-10(a)中，C為集電極，E為發(fā)射極，G為柵極（也稱門極）。該器件的電氣形符號，圖中所示箭頭表示IGBT中電流流動的方向(P溝道IGBT的箭與其相反)。
②工作原理簡單來說，IGBT相當(dāng)于一個由MOSFET 驅(qū)動的厚基區(qū)PNP晶體管，的簡化等效電路如圖3-10(b)所示，圖中R、為PNP晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。從該等效路可以清楚地看出，IGBT是用晶體管和功率MOSFET 組成的復(fù)合器件。因為圖中的晶體管為PNP型晶體管，MOSFET 為N溝道場效應(yīng)晶體管，所以這種結(jié)構(gòu)的IGBT稱為N溝道GBT.類似地還有P溝道IGBT.IGBT是一種場控器件，它的開通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間電壓UGE決定。
當(dāng)柵射極電壓UGE為正且大于開啟電壓UGE(th)時，MOSFET 內(nèi)形成溝道并為PNP晶體管提供基極電流，進(jìn)而使IGBT導(dǎo)通。此時，從P+區(qū)注入N的空穴（少數(shù)載流子對N區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N區(qū)的電阻Rx,使高耐壓的IGBT也具有很低的通態(tài)壓降。當(dāng)射極間不加信號或加反向電壓時，MOSFET 內(nèi)的溝道消失，則PNP晶體管的基極電流被切斷IGBT即關(guān)斷。由此可見，GBT的驅(qū)動原理與MOSFET 基本相同(2)基本特性①靜態(tài)特性IGBT的靜態(tài)特性包括轉(zhuǎn)移特性濟(jì)南
