BW-4022C

半導體綜合測試系統(tǒng)

BW-4022C半導體綜合測試系統(tǒng)是針對于半導體器件開發(fā)專用測試的系統(tǒng)，經(jīng)我公司產(chǎn)品升級與開發(fā)，目前亦可以對二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種器件進行參數(shù)測試，性能、精度、測試范圍均滿足客戶測試需求，可用于客戶端來料檢驗、研發(fā)分析、 產(chǎn)品選型等重要檢測設備之一。

BW-4022C 半導體綜合測試系統(tǒng)采用大規(guī)模 32 位 ARM&MCU 設計， PC 中文操作界面，程控軟件基于 Lab VIEW 平臺， 填充調(diào)用式菜單操作界面，測試界面簡潔 靈活、人機界面友好。配合開爾文綜合集成測試插座，根據(jù)不同器件更換測試座配合，系統(tǒng)可適配設置完成對二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種元件的靜態(tài)參數(shù)測試。

該測試系統(tǒng)主要由測試主機和程控電腦及外部測試夾具三部分組成，并接受客戶端MES系統(tǒng)進行測試指令：方案選取/開始/暫停/停止/數(shù)據(jù)上傳等操作執(zhí)行，并可將測試數(shù)據(jù)上傳至MES系統(tǒng)由客戶端處理。

BW-4022C半導體綜合測試系統(tǒng)可同時針對：

【光耦】

適用于〖三極管管型光耦/可控硅光耦/繼電器光耦〗進行測試。

【二極管】

--Kelvin /Type_ident /Pin_test /Vrrm/Irrm/V/△Vf/V_Vrrm/I_Irrm/△Vrrm；

〖Diode /穩(wěn)壓Diode/ZD/SBC/TVS/整流橋堆〗進行測試。

【壓敏電阻】

〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗進行測試。

【鋰亞電池】

〖Kelvin/電池空載電壓（Vbt）/負載電壓(Vbt_load ) ?/測試電流（0-10A 恒流 ）/負載電壓變化值（▲Vbt_load）/電池內(nèi)阻(Vbt Res) ?等進行測試。

【晶振】

〖震蕩頻率(Freq_osc )/諧振電阻（Ri）/頻率精度(Freq_ppm)/測試頻率范圍（10kHz~10MHz）等測試。

【其他測試功能可定制拓展】

一、 設備規(guī)格與環(huán)境要求

物理規(guī)格

主機尺寸：深?660*寬 430*高 210(mm) 臺式

主機重量：＜25kg

產(chǎn)品色系：白色系

工況環(huán)境

主機功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超過?1500m；

環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲存）、5℃～50℃（工作）；

相對濕度：?20%RH～75%RH (無凝露，濕球溫度計溫度 45℃以下)；

大氣壓力：86Kpa～106Kpa；

防護條件：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導電粉塵等；

供電要求

電源配置：AC220V±10%、50Hz±1Hz；

工作時間：連續(xù)；

二、測試種類與技術指標

1、光耦測試：

輸入（Input）相關參數(shù)

· 正向電壓（Forward Voltage）：

·?符號：Vf

·?最小值：無

·?典型值：1.2 V

·?MAX值：1.4 V

·?單位：V

·?測試條件：If=20mA

· 反向電流（Reverse Current）：

·?符號：Ir

·?最小值：無

·?典型值：無

·?MAX值：10 μA

·?單位：μA

·?測試條件：Vr=4V

輸出（Output）相關參數(shù)

· 集電極暗電流（Collector Dark Current）：

·?符號：Iceo

·?最小值：無

·?典型值：無

·?MAX值：100 nA

·?單位：nA

·?測試條件：Vce-20V,If=0

· 集電極?- 發(fā)射極擊穿電壓（Collector-Emitter Breakdown Voltage）：

·?符號：BVceo

·?最小值：80 V

·?典型值：無

·?MAX值：無

·?單位：V

·?測試條件：Ic-0.1mA,If=0

· 發(fā)射極?- 集電極擊穿電壓（Emitter-Collector Breakdown Voltage）：

·?符號：BVeco

·?最小值：6 V

·?典型值：無

·?MAX值：無

·?單位：V

·?測試條件：Ie-10μA,,If=0

· 集電極電流（Collector Current）：

·?符號：Ic

·?最小值：2.5 mA

·?典型值：無

·?MAX值：30 mA

·?單位：mA

·?測試條件：If=5mA,Vce-5V

· 電流傳輸比（Current Transfer Ratio）：

·?符號：CTR

·?最小值：50 %

·?典型值：無

·?MAX值：600 %

·?單位：%

·?測試條件：If=5mA,Vce-5V

傳輸特性（TRANSFER CHARACTERISTICS）相關參數(shù)

· 集電極?- 發(fā)射極飽和電壓（Collector-Emitter Saturation Voltage）：

·?符號：Vce

·?最小值：無

·?典型值：0.1 V

·?MAX值：0.2 V

·?單位：V

·?測試條件：If=20mA,Ic-1mA

· 隔離電阻（Isolation Resistance）：

·?符號：Riso

·?最小值： Ω

·?典型值： Ω

·?MAX值：無

·?單位：Ω

·?測試條件：DC500V, 40 - 60% R.H.

（以上參數(shù)基于晶體管LTV-816-Cu series特性參數(shù)）

三極管管型光耦

可控硅光耦

繼電器光耦

2、二極管類測試

· 二極管類：二極管

·?Diode

·?Kelvin ，Vrrm ，Irrm ，Vf?，△Vf?，△Vrrm ，Tr（選配）；

二極管類：穩(wěn)壓二極管

·?ZD（Zener Diode）

·?Kelvin ，Vz ，lr ，Vf?，△Vf?，△Vz?；

二極管類：穩(wěn)壓二極管

·?ZD（Zener Diode）

·?Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz；

二極管類：三端肖特基二極管?SBD（SchottkyBarrierDiode）

·?Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm；

二極管類：?瞬態(tài)二極管

·?TVS

·?Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm ?；

二極管類：整流橋堆

·?Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

二極管類：三相整流橋堆

·?Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

3、壓敏電阻測試

·?Kelvin 、Vrrm?、?Vdrm 、Irrm 、Idrm ?、?△Vr ;（參數(shù)配置精度與二極管一致）

4、鋰亞電池測試

·?Kelvin(0~150mV)

·?電池空載電壓（Vbt） ?0-100V ?+-0.2%

·?負載電壓(Vbt_load ) ? 0-100V ?+-0.5% ?測試電流（0-10A 恒流 ）

·?負載電壓變化值（▲Vbt_load）0-10v +-5% 測試電流（0-10A 恒流 ）

·?電池內(nèi)阻(Vbt Res) ?0-10v +-5% ?測試電流（0-10A 脈沖 ）

5、晶振測試

·?震蕩頻率(Freq_osc )

·?諧振電阻（Ri）

·?頻率精度(Freq_ppm)

·?測試頻率范圍（10kHz~10MHz）

三、參數(shù)配置與性能指標

1. 電流/電壓源?VIS自帶VI測量單元

1）加壓（FV）

2)加流(FI)：

說明：電流大于1.5A自動轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出，脈寬范圍：300us-1000us可調(diào)

3). 電流測量(MI)

4). 電壓測量(MV)

2.?數(shù)據(jù)采集部分?VM （16位ADC，100K/S采樣速率）

1). 電壓測量(MV)

2). 漏電流測量(MI)

3.?高壓源 ?HVS(基本)16位DAC

1).加壓(FV)

2).加流(FI)：