產品詳情
941C12P68K-F
基本參數:
Cap(uF):0.68
Vdc(V):1200
Irms(A):13.0
線徑(mm):1.2
ESR(mΩ):6
尺寸(T*W*L):21.7*31.1*46.0
用途:
941扁平型箔膜電容器,采用聚丙烯和雙面金屬
具有自愈性,耐高尖鋒電流及高電壓的上升速率
具有低等效串聯電阻的特性,可以忍耐非常高的頻率和電壓
特點:
低等效串聯電阻及等效串聯電感
? 適合用在高頻率的產品
? 可承受高電壓
? 可承受高的電壓上升速率
主營產品:IBGT,電容,驅動,傳感器,風機,可控硅
| 數量(個) | 面議 |
| 1 |
941C12P68K-F
基本參數:
Cap(uF):0.68
Vdc(V):1200
Irms(A):13.0
線徑(mm):1.2
ESR(mΩ):6
尺寸(T*W*L):21.7*31.1*46.0
用途:
941扁平型箔膜電容器,采用聚丙烯和雙面金屬
具有自愈性,耐高尖鋒電流及高電壓的上升速率
具有低等效串聯電阻的特性,可以忍耐非常高的頻率和電壓
特點:
低等效串聯電阻及等效串聯電感
? 適合用在高頻率的產品
? 可承受高電壓
? 可承受高的電壓上升速率
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