產品詳情
主要特點
2. 大面積均勻性高：采用了先進的多點射頻饋入技術，特殊氣路分布和加熱技術等，使得薄膜均勻性指標達到8%；
3. 一致性高：用半導體行業的先進設計理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%；
4. 工藝穩定性高：高度穩定的設備保證了工藝的連續和穩定；
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真空管式爐 |
爐管尺寸： |
外徑Φ50×700mm |
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極限溫度： |
1200℃ |
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溫度控制器： |
PID自動控制晶閘管（可控硅）輸出功率，30段可編程控制器 |
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最快升降溫速率： |
60℃ |
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加熱區： |
230mm |
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恒溫區： |
100mm |
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溫度精度： |
±1℃ |
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電源： |
單相220V,交流50Hz |
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多通道流量計控制系統 |
標準量程： |
100，200SCCM；（以氮氣標定，除以上標準外量程可選） |
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準確度： |
±1.5% |
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工作壓差范圍： |
0.1～0.5 MPa |
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最大壓力： |
3MPa |
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接頭類型： |
Φ6雙卡套不銹鋼接頭 |
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高真空系統
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泵體積流量N2： |
33 L/S |
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壓縮比： |
≥1011mbar |
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實驗真空值： |
≤10-6mbar |
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功率消耗： |
140W |
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啟動時間： |
2min |
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電源要求： |
185-265V AC |
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射頻電源 |
信號頻率： |
13.56MHz±0.005%W |
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功率輸出范圍： |
0-100W |
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最大反射功率： |
10W |
