產品詳情
二次光學計劃技能為進步器件的取光服從，計劃外加的反射杯與多重光學透鏡。功率型LED白光技能常見的實現白光的工藝要領有如下三種：藍色芯片上涂上Y：G熒光粉，芯片的藍色光引發熒光粉發出54nm～56nm的黃綠光，黃綠光與藍色光合成白光。該要領制備相對簡單，服從高，具有實用性。缺點是布膠量同等性較差、熒光粉易沉淀導致出光面勻稱性差、色調同等性欠好；色溫偏高；顯色性不敷抱負。RGB三基色多個芯片或多個器件發光混色成白光，大概用藍+黃綠色雙芯片補色產生白光。
蘑菇型預埋式濾頭
濾帽包括排水帽、濾水帽兩種，均采用ABS工程塑料制成，結構合理，連接牢靠，承壓強度高，封系不變型，使用效果好，既能防止陰陽樹脂外流，又能保證流量。適用于濾池氣水反沖洗系統和軟化水質組合式，重力壓，壓力式，回程式及離子交換器等水處理設備的過濾裝置以及離子交換器、機械過濾器，無濾池等設備，能有效進行過濾和氣水反沖洗。
濾帽材料采用ABS工程塑料制造，承壓強度高，踩碰不碎，在濾頭結構中強化螺紋，增設橡膠圈，聯接牢固，永不脫落。濾頭帽底座設計增強底縫，使與濾板間無死水區，不積泥等優點。各種規格的濾帽適用于各種相配的離子交換柱，活性炭過濾器使用，也可用于快濾池的排水系統。
長柄濾頭，濾帽為半球狀體（蘑菇型），由于濾帽縫隙呈弧形，因而配氣、配水均勻。
采用進口ABS工程塑料制造，承壓強度高，強化螺紋部分，增設橡膠墊圈，踩碰不碎；專門設置防堵塞結構，聯接牢固、不脫落，方便管理。濾帽底座設計增強底縫，具有與濾板間無死水區，不積泥等優點。
氣水反沖洗濾頭技術參數：
1.濾頭縫隙無殘缺、氣泡、飛邊和毛刺等缺點。
2.頭表面光滑、無明顯雜質、無裂縫，色澤一致。
3.單純用氣水反沖洗時，濾頭的水頭損失和氣水同時反沖洗的濾頭水頭損失應符合設計要求。
4.長柄濾頭槽隙寬度：2.2±0.3mm，槽隙總面積：550mm2.
5.安裝密度36-49個/㎡；氣沖強度：10-20L/㎡.S；水沖強度5-6L/㎡.S。
6.單純用氣水反沖洗時濾頭的氣壓損失不大于下表值。
具有多相光催化性能的半導體包括WOTiOCdS、ZnS、ZnO、Fe2OCdSe等，其中的TiO2由于具有抗化學和光腐蝕、性能穩定、無毒、催化活性高、價廉等優點而受重視和具有廣闊的應用前景。半導體的能帶結構是不連續的，充滿電子的價帶(VB)和空的導帶(CB)之間由禁帶隔開。用作各催化劑的半導體大多為金屬氧化物和硫化物，一般具有較大的禁帶寬度，其中TiO2在pH為1時的帶隙是3.2eV。當光子能量高于半導體吸收閥值的光照射半導體時，半導體的價帶電子發生帶間躍遷，即從價帶躍遷到導帶，從而產生光生空穴和電子；這些光生空穴和電子具有很強的氧化和還原能力，可以將吸附到光催化劑表面的污染物降解為無毒無害的無機小分子化合物，無二次污染問題。
hnhh1234567
蘑菇型預埋式濾頭
濾帽包括排水帽、濾水帽兩種，均采用ABS工程塑料制成，結構合理，連接牢靠，承壓強度高，封系不變型，使用效果好，既能防止陰陽樹脂外流，又能保證流量。適用于濾池氣水反沖洗系統和軟化水質組合式，重力壓，壓力式，回程式及離子交換器等水處理設備的過濾裝置以及離子交換器、機械過濾器，無濾池等設備，能有效進行過濾和氣水反沖洗。
濾帽材料采用ABS工程塑料制造，承壓強度高，踩碰不碎，在濾頭結構中強化螺紋，增設橡膠圈，聯接牢固，永不脫落。濾頭帽底座設計增強底縫，使與濾板間無死水區，不積泥等優點。各種規格的濾帽適用于各種相配的離子交換柱，活性炭過濾器使用，也可用于快濾池的排水系統。
長柄濾頭，濾帽為半球狀體（蘑菇型），由于濾帽縫隙呈弧形，因而配氣、配水均勻。
采用進口ABS工程塑料制造，承壓強度高，強化螺紋部分，增設橡膠墊圈，踩碰不碎；專門設置防堵塞結構，聯接牢固、不脫落，方便管理。濾帽底座設計增強底縫，具有與濾板間無死水區，不積泥等優點。
氣水反沖洗濾頭技術參數：
1.濾頭縫隙無殘缺、氣泡、飛邊和毛刺等缺點。
2.頭表面光滑、無明顯雜質、無裂縫，色澤一致。
3.單純用氣水反沖洗時，濾頭的水頭損失和氣水同時反沖洗的濾頭水頭損失應符合設計要求。
4.長柄濾頭槽隙寬度：2.2±0.3mm，槽隙總面積：550mm2.
5.安裝密度36-49個/㎡；氣沖強度：10-20L/㎡.S；水沖強度5-6L/㎡.S。
6.單純用氣水反沖洗時濾頭的氣壓損失不大于下表值。
具有多相光催化性能的半導體包括WOTiOCdS、ZnS、ZnO、Fe2OCdSe等，其中的TiO2由于具有抗化學和光腐蝕、性能穩定、無毒、催化活性高、價廉等優點而受重視和具有廣闊的應用前景。半導體的能帶結構是不連續的，充滿電子的價帶(VB)和空的導帶(CB)之間由禁帶隔開。用作各催化劑的半導體大多為金屬氧化物和硫化物，一般具有較大的禁帶寬度，其中TiO2在pH為1時的帶隙是3.2eV。當光子能量高于半導體吸收閥值的光照射半導體時，半導體的價帶電子發生帶間躍遷，即從價帶躍遷到導帶，從而產生光生空穴和電子；這些光生空穴和電子具有很強的氧化和還原能力，可以將吸附到光催化劑表面的污染物降解為無毒無害的無機小分子化合物，無二次污染問題。
hnhh1234567
