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若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓,只有在uA級的漏電流流過,基本上不消耗功率。
IGBTABB模塊FS225R12KE3/AGDR-81CS,ABB IGBT德國英飛凌、瑞士ABB
如何查看ABB變頻器ISU模塊內IGBT哪項有故障?
除非IGBT有明顯的變化,比方說燒黑了之類的,否則,單憑肉眼,是無法看出IGBT是否OK的話。要想做出準確的判斷的話,需要將IGBT拆下來,并用萬用表進行測量。



