靈敏度和響應時間是紅外探測器的兩個核心指標,而面向實際應用要求溝道材料同時具有良好的空氣穩定性。然而,目前已報道的基于二維材料的紅外探測器均不能同時滿足上述條件。例如,石墨烯顯示出高速光電響應,但是其靈敏度較低,典型值小于幾十毫安每瓦。傳統的過渡金屬二硫化物(TMD)通常具有太大的帶隙,從而失去了檢測紅外光的能力。黑磷有不錯的紅外探測能力,但其化學不穩定性與大規模制造工藝不兼容。因此,人們仍然在尋找可用于高靈敏度和快速紅外檢測的二維層狀材料。
在過去兩年多里,北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授課題組和合作者首次發現一類同時具有超高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定和可批量制備特點的全新二維半導體芯片材料(硒氧化鉍,Bi2O2Se),在場效應晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現出優異性能。
最近,他們與合作者發現由Bi2O2Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(從可見光到1700 nm短波紅外區),并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區1200nm處靈敏度高達——65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態掃描顯示Bi2O2Se光電探測器具有約1皮秒的本征超快光電流響應時間。加之,該化合物由交替堆疊的Bi2O2和Se層組成,晶體中氧的存在,使其在空氣中具有極佳的穩定性,完全可暴露于空氣中存放數月且保持穩定。
他們還展示了利用單一Bi2O2Se光電探測器,通過在成像平面上掃描,實現了室溫下高分辨率紅外成像。由于其二維材料屬性,這種光電探測器可制備在柔性基底上,并在1%應力范圍內保持正常工作。另外,他們展示出多個Bi2O2Se光電探測器陣列可協同成像,從而具備多像素掃描成像的潛力。由于Bi2O2Se具有與硅基讀出電路集成的潛力,并且制備工藝簡單,具有大規模生產的可能性,其為高靈敏度、高速度、低成本、可室溫工作的柔性紅外光電探測和成像開辟了新路徑。
該研究成果以“ultrafast and highly sensitive infrared photodetectors based on two-dimensional oxyselenide crystals”為題發表于2018年8月17日的《自然-通訊》(Nature Communications)(DOI: 10.1038/s41467-018-05874-2)上。彭海琳教授和北京大學物理學院劉開輝研究員為該工作的共同通訊作者。文章的并列作者為尹建波博士、談振軍、洪浩及吳金雄博士。該工作得到了來自科技部和國家自然科學基金委等項目的資助。
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