產(chǎn)品詳情
<h1>紹興dc/dc電源模塊</h1>dc/dc電源模塊，DC/DC模塊電源，電源模塊報(bào)價(jià)
低壓輸出：例如現(xiàn)代微處理器的VRM電壓將為1.1-1.8V，便攜式電子設(shè)備的DC-DC變換器輸出電壓為1.2V，特點(diǎn)是負(fù)載變化大，多數(shù)情況下工作低于備用模式，長(zhǎng)期輕載運(yùn)行。要求DC-DC變換器具有如下特征：a)負(fù)載變化的整個(gè)范圍內(nèi)效率高。b)輸出電壓低(CMOS電路的損耗與電壓的平方成正比，供電電壓低，則電路損耗小)。c)功率密度高。這種模塊采用集成芯片的封裝形式。
模塊電源工藝發(fā)展方向
降低熱阻，改善散熱——為改善散熱和提高功率密度，中大功率模塊電源大都采用多塊印制板疊合封裝技術(shù)，控制電路采用普通印制板置于頂層，而功率電路采用導(dǎo)熱性能優(yōu)良的板材置于底層。早期的中大功率模塊電源采用陶瓷基板改善散熱，這種技術(shù)為適應(yīng)大功率的需要，發(fā)展成為直接鍵合銅技術(shù)(Direct Copper Bond，DCB)，但因?yàn)樘沾苫逡姿?，在基板上安裝散熱器困難，功率等級(jí)不能做得很大。后來(lái)這一技術(shù)發(fā)展為用絕緣金屬基板(Insutalted Mental Substrate，IMS)直接蝕刻線路。最為常見(jiàn)的基板為鋁基板，它在鋁散熱板上直接敷絕緣聚合物，再在聚合物上敷銅，經(jīng)蝕刻后，功率器件直接焊接在銅上。為了避免直接在IMS上貼片造成熱失配，還可以直接采用鋁板作為襯底，控制電路和功率器件分別焊于多層(大于四層，做變壓器繞阻)FR-4印制板上，然后把焊有功率器件的一面通過(guò)導(dǎo)熱膠粘接在已成型的鋁板上固定封裝。不少模塊電源為了更利于導(dǎo)熱、防潮、抗震，進(jìn)行了壓縮密封。最常用的密封材料是硅樹(shù)脂，但也有采用聚氨酯橡膠或環(huán)氧樹(shù)脂材料。后兩種方式絕緣性能好，機(jī)械強(qiáng)度高，導(dǎo)熱性能好，成為近年來(lái)模塊電源的發(fā)展趨勢(shì)之一，是提高模塊功率密度的關(guān)鍵技術(shù)。
二次集成和封裝技術(shù)——為提高功率密度，近年開(kāi)發(fā)的模塊電源無(wú)一例外采用表面貼裝技術(shù)。由于模塊電源的發(fā)熱量嚴(yán)重，采用表面貼裝技術(shù)一定要注意貼片器件和基板之間的熱匹配，為了簡(jiǎn)化這些問(wèn)題，最近出現(xiàn)了MLP(Multilayer Polymer)片狀電容，它的溫度膨脹系數(shù)和銅、環(huán)氧樹(shù)脂填充劑以及FR4 PCB板都很接近，不易出現(xiàn)象鉭電容和磁片電容那樣因溫度變化過(guò)快而引起電容失效的問(wèn)題。另外為進(jìn)一步減小體積，二次集成技術(shù)發(fā)展也很快，它是直接購(gòu)置裸芯片，經(jīng)組裝成功能模塊后封裝，焊接于印制板上，然后鍵合。這一方式功率密度更高，寄生參數(shù)更小，因?yàn)椴捎孟嗤牧系幕煌骷臒崞ヅ涓茫岣吡四K電源的抗冷熱沖擊能力。李澤元教授領(lǐng)導(dǎo)的CPES在工藝上正在研究IPEM(IntegratedPower Electronics Module)，它是一種三維的封裝結(jié)構(gòu)，主要針對(duì)功率電路，取代線鍵合技術(shù)。
