ns（MIN）；MOSI建立到SCK變高時(shí)間為30 ns（MIN）；SCK變高后MOSI保持時(shí)間為2×30 ns（MIN）；SCK變低到MISO有效時(shí)間為10 ns（MIN）～32 ns（MAX）（一般取16 ns）；芯片檫除指令周期為500 ms；串行字節(jié)寫(xiě)周期為64×30 ns+400 ns。
實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)：
晶體震蕩器的頻率為33 MHz（MAX），所以周期T=1/F=1/33 MHz=30 ns（MIN）；芯片擦除指令周期為200 ms；SCK變高后MOSI保持時(shí)間為1 ms（MIN）。
編者注： 本文為期刊縮略版，全文見(jiàn)本刊網(wǎng)站http://www.mesnet.com.cn/。
參考文獻(xiàn)
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[3] 李朝青.單片機(jī)原理及接口技術(shù)[M]. 北京: 北京航空航天大學(xué)出版社，2005.
[4] Atmel公司.AT89S5X系列單片機(jī)數(shù)據(jù)手冊(cè)，200503
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