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；操作檢測
.endm
③讀數據命令。上電或內部編程、擦除操作結束后就進入讀數據狀態，寫入要讀取的地址即可讀出該地址的數據。
④復位命令。它使存儲器復位，進入讀數據狀態，向任何一個地址寫入數據0xF0就能使Flash存儲器復位。在進行編程、擦除之前，都應先復位，在編程或擦除等正常操作中出現錯誤時也要復位。復位程序如下：
_RESETFlash .macro
_WRITECOMMAND #8001H,#0F0H
;向8001H寫入0F0H使Flash復位
RPT #12
NOP
.endm
1.3 Flash的操作檢測
Flash內部的編程或擦除算法可自動完成編程或擦除操作，但我們必須了解其內部的操作檢測機制，以便知道操作是否完成或正確。常用檢測的狀態位有：跳變位（DQ6）、超時標志位（DQ5）、數據查詢位（DQ7）和Ready/Busy引腳（RY/）。檢測的方法有三種。第一種是判斷引腳RY/的狀態，在編程、擦除或擦除掛起操作過程中，RY/引腳一直為“0”，操作完成后變為“1”。第二種是檢測跳變位DQ6，在編程或擦除時對任何地址進行連續的讀均引起DQ6連續跳變，直至操作結束才停止跳變。最后一種是使用數據線的DQ7、DQ5：DQ7位在編程或擦除過程中輸出的數是寫入該位數據的反碼，當操作完成時輸出才變為寫入該位的數據；DQ5的狀態為“1”時表示操作超時，此時應再讀一次DQ7的狀態，若DQ7輸出仍不是寫入的數據，則操作失敗，復位Flash，其流程如圖1所示。
檢測程序如下：
_JUDGE .macro par,pdr;檢測宏程序。par是編程地址寄存
；器，pdr是存放編程數據的寄存器
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