批發KG AUTO開關KDF-GM2Y供應氣缸KCD1-L-32-32-NDAEYEON轉換器;DY-HFC-A1AA DY-HFC-A1NA
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反向峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。觸發電壓VGT在規定的溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的控制極電流和電壓。維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發使其導通，用負觸發使其關斷的可控硅等等。分類編輯可控硅有多種分類。（一）按關斷、導通及控制分類：可控硅按其關斷、導通及控制可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

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DAEYEON轉換器;DY-HFC-BAAA DY-HFC-BANA繼電器，觸點閉合或斷開，控制電路通斷。晶體管型電壓繼電器由電壓形成回路、整流濾波回路、比較回路、執行回路和輸出回路組成。感應型過流繼電有感應機構和電磁機構。感應機構如圖2，輸入電生的磁通分為ФjФj2兩部分。Φj1通過短路環，在其中產生感應電勢Ed和感應電流Id，感應電流Id又產生磁通Φdo此Φd與Φj1合成磁通Φ1;Φd與Φj2合成磁通Φ2，Φ1與Φ2的相位差為。ΦΦ2在鋁圓盤中產生渦流，磁通與各自產生的渦流相互作用，產生力矩。力矩的大小與電流的平方成比例。當輸入電流達到值時，由專門機構使繼電器啟動，鋁圓盤亦開始轉動，經一定時間，動觸點與靜觸點接通。觸點接通時限與電流成反比。
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一旦輸出短路或嚴重過載時間超出幾百毫秒將二極管（通常為肖特基二極管）過熱損壞；其二，當由于某種原因，比如人為關閉，使開關振蕩電路停止工作，負載端仍然有電壓存在，只是比輸入端低一個二極管的管壓降而已，這時輸出仍會消耗能量。除此之外，如果該殘存電壓低于負載穩態工作電壓范圍，將使電路處于不確定狀態。對于輸出電流相對較小的應用（小于5A），利用單片電流控制器和高端電流取樣技術，上述兩個問題都可以很好地解決。在這些電路中，二極管被一同步整流開關三極管取代，因此通過關閉內部開關三極管就可把輸入輸出通路截斷，這樣一來，負載端對輸入端來說就呈高阻狀態，而這正是所希望的結果。在正常工作狀態，電路內部的高端取樣電阻對負載電流周期性地進行采樣。

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此時表示鐵芯以進入磁飽和段)。然后再將電流降為零，如此重復2-3次。在斷開電源前，應將一次繞組短接，才斷開電源。鐵芯退磁完成。此稱開路退磁法。對于有些電流互感器，由于二次繞組的匝數都比較多。若采用開路退磁法，開路的繞組可能產生高電壓。因此可以在二次繞組接上較大的電阻(額定阻抗的10-20倍)。一次繞組通以電流，從零漸變到互感器一次繞組的允許的電流，再漸變到零，如此重復2-3次。由于接有負載鐵芯可能不能完全退磁。由于一次繞組的電流有，過大的話可能燒壞一次繞組。如果接有負載的二次繞組產生電壓不是過高的話，可以加大二次繞組的負載電阻。這樣可以退磁效果。準確度檢查互感器誤差試驗一般采用被測互感器與互感器進行比較。