產(chǎn)品詳情
IM4000II是日立離子銑削設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)，可用于橫截面銑削和平面銑削（平面銑削® *1它與 . 各種選項(xiàng)，如冷卻溫度控制和氣氛隔離支架單元，可實(shí)現(xiàn)各種樣品的橫截面樣品制備。
*1平面銑削（R）是 Hitachi High-Tech Co.， Ltd. 在日本的注冊(cè)商標(biāo)。
本產(chǎn)品受基于《加強(qiáng)中小企業(yè)管理法（生產(chǎn)率提高設(shè)備（A 型））》的支持措施的約束。
高銑削率
IM4000II配備了離子槍，可實(shí)現(xiàn) 500 μm/h*1 或更高的截面銑削速率。 它對(duì)硬質(zhì)材料的橫截面樣品制備有效。
*1加速電壓為 6 kV，最大加工深度為 1 小時(shí)，硅從掩模邊緣突出 100 μm
樣品：硅晶片（2 mm 厚） 加速
電壓：6.0 kV 擺動(dòng)
角：±30° 銑削
時(shí)間：1 小時(shí)
當(dāng)截面銑削過(guò)程中的擺動(dòng)角度發(fā)生變化時(shí)，加工寬度和加工深度也會(huì)發(fā)生變化。 下圖顯示了 Si 晶片在 ±15° 擺動(dòng)角下的橫截面銑削結(jié)果。 除擺動(dòng)角度外，加工條件與上述相同。 與上述結(jié)果相比，可以看出加工深度更深。
它對(duì)于具有感興趣深結(jié)構(gòu)的樣品的快速橫截面制備非常有效。
樣品：硅晶片（2 mm 厚） 加速
電壓：6.0 kV 擺動(dòng)
角：±15° 銑削
時(shí)間：1 小時(shí)
混合銑削
橫截面銑削
- 即使使用由具有不同硬度和研磨速率的成分組成的復(fù)合材料，也可以制備光滑的橫截面樣品。
- 通過(guò)優(yōu)化加工條件減少損壞
- 可裝載最大 20 mm （W） × 12 mm （D） × 7 mm （H） 的樣品
型材銑削的主要應(yīng)用
- 各種樣品（如金屬、復(fù)合材料和聚合物）的橫截面制備
- 用于缺陷分析（如裂紋和空隙）的橫截面
- 用于評(píng)估、觀察和分析層壓界面和晶體信息的橫截面制造
平面銑削（R） ）
- 直徑約為 5 mm 的均勻加工范圍
- 可用于廣泛的應(yīng)用
- 能夠加載直徑達(dá) 50 mm ×厚度達(dá) 25 mm 的樣品
- 可以選擇兩種類型的加工：旋轉(zhuǎn)加工和擺動(dòng)（±60°~± 90° 反轉(zhuǎn)）加工。
平面銑削（R）主要應(yīng)用
- 去除機(jī)械拋光難以去除的細(xì)小劃痕和變形
- 去除樣品表面層
- FIB 加工損傷去除
