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半導體制造的主要工藝是在多次重復進行“形成薄膜”、哈默納科烘干機諧波CSF-17-100-2UH“光刻”、“刻蝕”、“擴散”、“注入”和“拋光”等工藝,在重復進行的工藝之間穿插“清洗、熱處理、工藝檢測”等工藝。
(1)擴散 擴散一般認為是進行高溫工藝及薄膜淀積的區域哈默納科烘干機諧波CSF-17-100-2UH。擴散的主要設備是高溫
擴散爐和濕法清洗設備。
(2)光刻 光刻的目的是將電路圖形轉移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上。光刻膠是一種光敏的化學物質,它通過深紫外線(或極紫外線)曝光來印制掩模板的圖像。涂膠和顯影設備是用來完成光刻的一系列工具的組合哈默納科烘干機諧波CSF-17-100-2UH。光刻過程包括預處理、涂膠、甩膠、烘干,然后用機械臂將涂膠的硅片送入光刻機。以步進式光刻機為例,在進行硅片和掩模板的對準、聚焦后,步進式光刻機先曝光硅片上的一小片面積,隨后步進到硅片的下一區域并重復這一過程。



