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光刻包括兩種基本的工藝類型:負性光刻和正性光刻。日本HD顯影檢查諧波CSF-14-50-2UJ負性光刻把與掩模版上圖形相反的圖形復制到硅片表面。正性光刻把與掩模版上相同的圖形復制到硅片上。這兩種基本工藝的主要區別在于所用光刻膠的種類不同。如圖2.14所示,光刻工藝過程包括8個基本步驟:日本HD顯影檢查諧波CSF-14-50-2UJ氣相成底模、旋轉涂膠、軟烘、對準和曝光、曝光后烘培、顯影、堅膜烘培、顯影檢查。
如圖2.15所示,由硅片傳送系統將光刻工藝的基本設備串接在一起組成自動硅片光刻工藝加工系統,實現硅片的自動化光刻加工。在光刻的基本工藝中對準和曝光是最為關鍵的工藝。日本HD顯影檢查諧波CSF-14-50-2UJ對準和曝光通常在曝光機(通常也被稱作光刻機)上完成,



