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離子植入(IonImplantation)? 在擴散制程的末尾描述中哈默納科離子設備諧波CSF-14-100-2A-R,曾題及擴散區域之邊緣所在,有側向擴散的誤差,故限制其在次微米制程上之應用。但誠如干蝕法補足哈默納科離子設備諧波CSF-14-100-2A-R濕蝕法在次微米制程能力不足一樣,此地另有離子植入法,來進行圖案更精細,濃度更為稀少精準的雜值攙入。? 離子植入法是將III族或IV族之雜質,以離子的型式,經加速后沖擊進入晶圓表面,經過一段距離后,大部份停于離晶圓表面0.1微米左右哈默納科離子設備諧波CSF-14-100-2A-R之深度(視加速能量而定),故最高濃度的地方,不似熱擴散法在表面上。



