產品詳情
CMP通常稱為化學機械拋光(chemical mechanical planarization,CMP)或拋光哈默納科機械磨頭諧波SHA32Y120CG-B12B2。化學機械平坦化是實現多層金屬技術的主要平坦化技術,它通過硅片和一個拋光頭之間的相對運動來平坦化硅片表面,在硅片表面和拋光頭之間有磨料,并且施加一定壓力。CMP設備工作原理,為平坦化加工原理圖,哈默納科機械磨頭諧波SHA32Y120CG-B12B2)為帶有多個磨頭的CMP設備示意圖。在拋光時一個磨頭上裝有一個硅片,在傳送和拋光過程中,磨頭依靠真空來吸附硅片。拋哈默納科機械磨頭諧波SHA32Y120CG-B12B2光時磨料由磨料噴嘴噴涂到拋光墊上,磨頭和轉盤的旋轉運動實現了硅片的拋光。磨料與硅片的化學反應促進了拋光效果。



