產(chǎn)品詳情
一、產(chǎn)品概述
晶圓級封裝加熱模溫機(jī)是為晶圓級封裝（WLP）工藝中鍵合、固化、回流等環(huán)節(jié)研發(fā)的專業(yè)溫控設(shè)備。在晶圓級封裝過程中，溫度控制對鍵合強(qiáng)度、封裝精度、芯片性能及可靠性至關(guān)重要。溫度過低會導(dǎo)致焊料未充分熔融、膠黏劑固化不完全，造成鍵合失效；溫度過高則會引發(fā)晶圓翹曲、金屬擴(kuò)散加劇，甚至損壞芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)。本模溫機(jī)憑借高精度寬域加熱系統(tǒng)、快速響應(yīng)調(diào)節(jié)技術(shù)及適配潔凈室環(huán)境的設(shè)計(jì)，為晶圓級封裝提供穩(wěn)定可控的溫度環(huán)境，助力企業(yè)提升封裝良率、提高生產(chǎn)效率、降低制程風(fēng)險。
二、產(chǎn)品描述
- 高精度寬域加熱系統(tǒng)：采用紅外輻射與熱板傳導(dǎo)復(fù)合加熱技術(shù)，配備進(jìn)口陶瓷加熱模塊，可實(shí)現(xiàn) 45℃-400℃寬域精準(zhǔn)控溫，滿足不同封裝工藝（如 Cu-Cu 鍵合需 250℃±1℃、環(huán)氧樹脂固化需 150℃±0.5℃）的溫度需求。針對晶圓表面的溫度均勻性要求，通過三維溫度場模擬優(yōu)化加熱布局，確保晶圓全域溫差≤±0.5℃。相比傳統(tǒng)加熱設(shè)備，鍵合強(qiáng)度一致性提升 40% 以上，晶圓翹曲量控制在 5μm 以內(nèi)，有效減少虛焊、分層等封裝缺陷。
- 快速響應(yīng)調(diào)節(jié)技術(shù)：搭載高精度紅外溫度傳感器（精度 ±0.1℃）與高速 PLC 控制系統(tǒng)，實(shí)時采集晶圓表面溫度、加熱功率及腔室壓力數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)溫度的動態(tài)精準(zhǔn)調(diào)節(jié)。溫度升降速率可達(dá) 10℃/s，響應(yīng)時間≤0.1s，能快速跟隨封裝工藝的溫度階躍需求。操作人員通過 12 寸無塵觸摸屏預(yù)設(shè)多段溫度 - 時間曲線，系統(tǒng)支持與晶圓封裝機(jī)臺聯(lián)動，實(shí)現(xiàn)溫度與真空、壓力等工藝參數(shù)的同步控制，滿足自動化量產(chǎn)需求。
- 潔凈與安全設(shè)計(jì)：與晶圓接觸部件采用無磁無氧銅材質(zhì)，表面粗糙度 Ra≤0.02μm，符合 ISO 14644-1 Class 4 級潔凈室標(biāo)準(zhǔn)，避免微粒污染（≤1 個 /ft3@0.1μm）。設(shè)備外殼采用 316L 不銹鋼，表面電解拋光，配備超溫聯(lián)鎖（超設(shè)定值 5℃立即斷電）、惰性氣體保護(hù)、漏電保護(hù)等安全機(jī)制，符合 SEMI S2-0712 半導(dǎo)體設(shè)備安全標(biāo)準(zhǔn)，適應(yīng) 100 級潔凈室的嚴(yán)苛環(huán)境。
三、應(yīng)用場景
- 先進(jìn)封裝代工廠：用于 5G 芯片、AI 芯片的晶圓級封裝工藝，通過精準(zhǔn)控溫確保異構(gòu)集成、3D 堆疊等先進(jìn)封裝技術(shù)的良率≥98%，滿足高端芯片對高密度、高性能的需求，是先進(jìn)封裝量產(chǎn)的核心溫控設(shè)備。
- IDM 半導(dǎo)體企業(yè)：適配存儲芯片（如 DRAM、NAND）的晶圓級封裝，通過穩(wěn)定溫度控制提升芯片互連可靠性，助力存儲芯片實(shí)現(xiàn)更高容量與更快速度，滿足數(shù)據(jù)中心對存儲器件的嚴(yán)苛要求。
- MEMS 傳感器生產(chǎn)企業(yè)：在 MEMS 晶圓級封裝中，為敏感結(jié)構(gòu)的鍵合與密封提供精確溫度環(huán)境，避免溫度波動導(dǎo)致的傳感器性能漂移，保障 MEMS 器件的精度與穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于汽車電子、消費(fèi)電子領(lǐng)域。
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半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)機(jī)構(gòu)：為新型晶圓級封裝技術(shù)（如混合鍵合、光子封裝）的研發(fā)提供可控溫平臺，支持不同材料體系（如金屬、陶瓷、高分子）的溫度適配性測試，助力封裝技術(shù)迭代升級。
